Numéro de produit du fabricant:
TSM130NB06CR RLG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM130NB06CR RLG-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Description détaillée:
N-Channel 60 V 10A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventaire:
4980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12896927
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SOUMETTRE
TSM130NB06CR RLG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta), 51A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2380 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (5.2x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerLDFN
Numéro de produit de base
TSM130
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM130NB06CRRLGDKR
TSM130NB06CRRLGTR
TSM130NB06CRRLGCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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